Mosfet IRF330

Codice: IR-IRF330
HEXFET 400V 5,5A N-TO3
HEXFET 400V 5,5A N-TO3
4,84 €
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Dettagli del Mosfet

Tensione di rottura drain-source:  400 V    
Corrente di drain continua:  5.5 A    
Rds On - Drain-source sulla resistenza: 1.22Ω   
Vgs - Tensione gate-source:  20 V    
Temperatura di lavoro minima: - 55 C    
Temperatura di lavoro massima: + 150 C    
Modalità canale:  Enhancement    
Marchio:  Infineon / IR   
Configurazione:  Single   
Tempo di caduta:  35 ns   
Altezza:  7.74 mm   
Lunghezza:  39.37 mm   
Pd - Dissipazione di potenza: 75 W   
Tempo di salita: 40 ns   
Tipo di transistor: 1 N-Channel   
Ritardo di spegnimento tipico: 80 ns   
Tipico ritardo di accensione: 30 ns   
Larghezza: 25.53 mm  



Documentazione

Scheda Tecnica

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